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91 电子技术基础 简单
OCL甲乙类功放电路的效率可达（    ）
A

25%

B78.5%
C

50%

D

60%

练习题
92 电子技术基础 简单
甲类单管变压器耦合功率放大器集电极静态工作电流为ICQ，电源电压EC，输出最大功率为（  ）。
AICQEC
B1/2 ICQEC
C2ICQEC
D3ICQEC
练习题
93 电子技术基础 简单
功率放大电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，输出信号基本不失真且幅值最大时（  ）。
A晶体管得到最大功率
B电源提供的最大功率
C负载上获得最大交流功率
D晶体管的最大耗损功率
练习题
94 电子技术基础 简单
下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是（）
AVBE>0,VBE
BVBE<0，VBE
CVBE>0，VBE>VCE时
DVBE<0，VBE>VCE时
练习题
95 电子技术基础 简单
工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为（）
A10
B50
C80
D100
练习题
96 电子技术基础 简单
NPN型和PNP型晶体管的区别是（）
A由两种不同的材料硅和锗制成的
B掺入的杂质元素不同
CP区和N区的位置不同
D管脚排列方式不同
练习题
97 电子技术基础 简单
当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（）
A增大
B减少
C反向
D几乎为零
练习题
98 电子技术基础 简单
对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在（）
A放大区
B饱和区
C截止区
D无法确定
练习题
99 电子技术基础 简单
晶体管能够实现放大的内部结构条件是（）
A两个背靠背的PN结
B空穴和电子都参与了导电
C有三个掺杂浓度不一样的域
D发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大
练习题
100 电子技术基础 简单
晶体管能够实现放大的外部条件是（）
A发射结正偏，集电结正偏
B发射结正偏，集电结反偏
C发射结反偏，集电结正偏
D发射结反偏，集电结反偏
练习题
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